Ну да! )))) Транзистор при усилении сигнала производит работу, полезная часть этой работы уходит в нагрузку или другой согласованный тракт, а основная часть энергии преобразуется в тепло. Что бы транзистор не перегрелся от производимого им тепла, его монтируют на теплоотводе.
Ну а при превышении уровней сигналов (а не максимальной мощности) как на входе, так и на выходе происходит пробой p-n переходов и изолирующих слоёв. Причём это происходит почти мгновенно. И температура кристалла тут никакой роли не играет, транзистор может быть охлаждённым. В случае ВЧ напряжений процесс происходит не только в структурах транзистора, а лавинообразно снаружи. Причём как раз этот фактор в большинстве случаев и влияет на выгорание кристаллов транзистора.
Как правило на плате в каком либо месте возникает пучность высокочастотного тока, нарушается проводимость этого участка которая приводит к мгновенному повышению температуры превышающей температуру плавления из которых изготовлены компоненты или проводники. При этом мгновенно возрастают токи в компонентах самого транзистора, что и приводит к его выгоранию.